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    行业应用: 工业
    输入电容: 550pF@25V
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订2500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订2500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80 起订26个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80 起订26个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:02+

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF2N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3Ω@750mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N80 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N80 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:[]

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP2N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80YDTU 起订317个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80YDTU 起订317个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1600,"MI+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF2N80YDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3Ω@750mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON IGBT FP10R06W1E3BOMA1 起订5个装
    INFINEON IGBT FP10R06W1E3BOMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):24psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FP10R06W1E3BOMA1

    包装方式:托盘

    输入电容:550pF@25V

    集电极截止电流(Ices):600V

    类型:沟槽型场截止

    工作温度:-40℃ ~ 150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订7500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订7500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7201TRPBF 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7201TRPBF 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7201TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订7500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订7500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80YDTU 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80YDTU 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF2N80YDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3Ω@750mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5030DPD-03#J2 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5030DPD-03#J2 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK5030DPD-03#J2

    功率:41.7W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N80 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N80 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP2N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON IGBT FP10R06W1E3BOMA1 起订25个装
    INFINEON IGBT FP10R06W1E3BOMA1 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"21+":38}

    包装规格(MPQ):24psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FP10R06W1E3BOMA1

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:550pF@25V

    集电极截止电流(Ices):600V

    类型:沟槽型场截止

    工作温度:-40℃ ~ 150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF630 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF630 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@3.15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7201TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7201TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7201TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON IGBT FP10R06W1E3BOMA1 起订1个装
    INFINEON IGBT FP10R06W1E3BOMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):24psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FP10R06W1E3BOMA1

    包装方式:托盘

    输入电容:550pF@25V

    集电极截止电流(Ices):600V

    类型:沟槽型场截止

    工作温度:-40℃ ~ 150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80YDTU 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80YDTU 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF2N80YDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3Ω@750mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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