品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":863}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH1CV7DPQ-E0#T2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
关断延迟时间:185ns
反向恢复时间:200ns
关断损耗:2.5mJ
开启延迟时间:53ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:166nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.3V@15V,35A
导通损耗:3.2mJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):APT33GF120B2RDQ2G
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):75A
关断延迟时间:185ns
关断损耗:1.515mJ
开启延迟时间:14ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:170nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):3V@15V,25A
导通损耗:1.315mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":863}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH1CV7DPQ-E0#T2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
关断延迟时间:185ns
反向恢复时间:200ns
关断损耗:2.5mJ
开启延迟时间:53ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:166nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.3V@15V,35A
导通损耗:3.2mJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":863}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH1CV7DPQ-E0#T2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
关断延迟时间:185ns
反向恢复时间:200ns
关断损耗:2.5mJ
开启延迟时间:53ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:166nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.3V@15V,35A
导通损耗:3.2mJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":863}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH1CV7DPQ-E0#T2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
关断延迟时间:185ns
反向恢复时间:200ns
关断损耗:2.5mJ
开启延迟时间:53ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:166nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.3V@15V,35A
导通损耗:3.2mJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: