采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYH40N120C3D1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：125ns
反向恢复时间：195ns
关断损耗：660µJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：85nC
集电极电流(Ic)：4V@15V，40A
导通损耗：3.9mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：172ns
反向恢复时间：337ns
关断损耗：1.7mJ
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYH40N120C3D1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：125ns
反向恢复时间：195ns
关断损耗：660µJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：85nC
集电极电流(Ic)：4V@15V，40A
导通损耗：3.9mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYH40N120C3D1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：125ns
反向恢复时间：195ns
关断损耗：660µJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：85nC
集电极电流(Ic)：4V@15V，40A
导通损耗：3.9mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：172ns
反向恢复时间：337ns
关断损耗：1.7mJ
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：172ns
反向恢复时间：337ns
关断损耗：1.7mJ
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：172ns
反向恢复时间：337ns
关断损耗：1.7mJ
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT35GN120SG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：300ns
关断损耗：2.315mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：220nC
类型：NPT，沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，35A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
关断损耗：1.7mJ
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
关断延迟时间：172ns
工作温度：-55℃ ~ 150℃
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
集电极脉冲电流(Icm)：105A
反向恢复时间：337ns
导通损耗：2.5mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT35GN120BG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：300ns
关断损耗：2.315mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：220nC
类型：NPT，沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，35A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT35GN120L2DQ2G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：300ns
关断损耗：2.315mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：220nC
类型：NPT，沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，35A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
关断损耗：1.7mJ
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
关断延迟时间：172ns
工作温度：-55℃ ~ 150℃
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
集电极脉冲电流(Icm)：105A
反向恢复时间：337ns
导通损耗：2.5mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYH40N120C3D1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：125ns
反向恢复时间：195ns
关断损耗：660µJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：85nC
集电极电流(Ic)：4V@15V，40A
导通损耗：3.9mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYH40N120C3D1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：125ns
反向恢复时间：195ns
关断损耗：660µJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：85nC
集电极电流(Ic)：4V@15V，40A
导通损耗：3.9mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYH40N120C3D1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：125ns
反向恢复时间：195ns
关断损耗：660µJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：85nC
集电极电流(Ic)：4V@15V，40A
导通损耗：3.9mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：172ns
反向恢复时间：337ns
关断损耗：1.7mJ
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"18+"：1361，"21+"：80，"9999"：313}
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
关断损耗：1.7mJ
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
关断延迟时间：172ns
工作温度：-55℃ ~ 150℃
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC
集电极脉冲电流(Icm)：105A
反向恢复时间：337ns
导通损耗：2.5mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"18+"：1361，"21+"：80，"9999"：313}
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
关断损耗：1.7mJ
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
关断延迟时间：172ns
工作温度：-55℃ ~ 150℃
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC
集电极脉冲电流(Icm)：105A
反向恢复时间：337ns
导通损耗：2.5mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"18+"：1361，"21+"：80，"9999"：313}
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
关断损耗：1.7mJ
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
关断延迟时间：172ns
工作温度：-55℃ ~ 150℃
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC
集电极脉冲电流(Icm)：105A
反向恢复时间：337ns
导通损耗：2.5mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
