采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：213}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG11N120CND
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，11A
导通损耗：950µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT85GR120JD60
包装方式：管件
输入电容：8.4nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：NPT
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG11N120CND
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，11A
导通损耗：950µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：46，"19+"：345，"22+"：590}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG10N120BND
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：165ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：800µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，10A
导通损耗：850µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：571}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SKW07N120FKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：27A
关断延迟时间：440ns
反向恢复时间：60ns
关断损耗：1mJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：70nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.6V@15V，8A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG11N120CND
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，11A
导通损耗：950µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG11N120CND
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，11A
导通损耗：950µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"11+"：321，"12+"：790，"13+"：50，"14+"：6802}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SKW07N120FKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：27A
关断延迟时间：440ns
反向恢复时间：60ns
关断损耗：1mJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：70nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.6V@15V，8A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：46，"19+"：345，"22+"：590}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG10N120BND
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：165ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：800µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，10A
导通损耗：850µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：412}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG5N120BND
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：160ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：390µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：53nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，5A
导通损耗：450µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG11N120CND
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，11A
导通损耗：950µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"23+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTP5N120BND
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：160ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：390µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：53nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，5A
导通损耗：450µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"23+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTP5N120BND
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：160ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：390µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：53nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，5A
导通损耗：450µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG11N120CND
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，11A
导通损耗：950µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50GT120B2RG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：230ns
关断损耗：2330µJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：340nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.7V@15V，50A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTP10N120BN
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：165ns
关断损耗：800µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，10A
导通损耗：320µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG11N120CND
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，11A
导通损耗：950µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG5N120BND
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：160ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：390µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：53nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，5A
导通损耗：450µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG5N120BND
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：160ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：390µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：53nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，5A
导通损耗：450µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG11N120CND
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，11A
导通损耗：950µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG5N120BND
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：160ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：390µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：53nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，5A
导通损耗：450µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG11N120CND
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，11A
导通损耗：950µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTP10N120BN
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：165ns
关断损耗：800µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，10A
导通损耗：320µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG5N120BND
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：160ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：390µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：53nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，5A
导通损耗：450µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTP5N120BND
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：160ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：390µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：53nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，5A
导通损耗：450µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT85GR120B2
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：340A
关断延迟时间：300ns
关断损耗：3.8mJ
开启延迟时间：43ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：660nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.2V@15V，85A
导通损耗：6mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"11+"：321，"12+"：790，"13+"：50，"14+"：6802}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SKW07N120FKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：27A
关断延迟时间：440ns
反向恢复时间：60ns
关断损耗：1mJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：70nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.6V@15V，8A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG11N120CND
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，11A
导通损耗：950µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG11N120CND
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，11A
导通损耗：950µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"11+"：321，"12+"：790，"13+"：50，"14+"：6802}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SKW07N120FKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：27A
关断延迟时间：440ns
反向恢复时间：60ns
关断损耗：1mJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：70nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.6V@15V，8A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
