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    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 100A(Tc)
    当前匹配商品:10+
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK763R9-60E,118 起订300个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK763R9-60E,118 起订300个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1487}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK763R9-60E,118

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:263W(Tc)

    阈值电压:4V @ 1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7480 pF @ 25 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.9 毫欧 @ 25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP039N10N5AKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP039N10N5AKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP039N10N5AKSA1

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:188W(Tc)

    阈值电压:3.8V @ 125µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:7000 pF @ 50 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.9 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLC,115 起订7500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLC,115 起订7500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:179W(Tc)

    阈值电压:1.95V @ 1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4173 pF @ 12 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.3 毫欧 @ 25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2334

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A(Tc)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    功率:104W(Tc)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI075N15N3GXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI075N15N3GXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IPI075N15N3GXKSA1

    导通电阻:7.5 毫欧 @ 100A,10V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    漏源电压:150V

    类型:N 通道

    包装方式:管件

    输入电容:5470 pF @ 75 V

    功率:300W(Tc)

    阈值电压:4V @ 270µA

    栅极电荷:93 nC @ 10 V

    ECCN:EAR99

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    生产批次:2334

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A(Tc)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    功率:104W(Tc)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

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