品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D5UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:970mΩ@100mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:113pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:4.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2651,"21+":5153,"22+":10261}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:113pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:4.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6316P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:146pF@6V
连续漏极电流:700mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:270mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1985,"16+":2500,"MI+":17500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FW276-TL-2H
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@20V
连续漏极电流:700mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.1Ω@350mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:2.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2E014AJT2CL
功率:400mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:700mA
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2E014AJT2CL
功率:400mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:700mA
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4409NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:2.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):US5U35TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:1.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@700mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J65CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J65CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):US5U35TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:1.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@700mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2E014AJT2CL
功率:400mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:700mA
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):US5U35TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:1.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@700mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:113pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:4.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: