采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YSFX
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM65N20-30-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17527Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：506pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG65N03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：92.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4498pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y14-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3155pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：2476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP207-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y14-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3155pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17527Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：506pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y14-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3155pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17527Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：506pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17327Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：506pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@11A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17327Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：506pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@11A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y14-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3155pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y14-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3155pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y14-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3155pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@32.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17527Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：506pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
