品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:2.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:214pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:214pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:214pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:2.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:214pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD4116NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:2.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: