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    onsemi Mosfet场效应管 FDB390N15A 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB390N15A 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB390N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@75V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@27A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD33CN10NGATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD33CN10NGATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD33CN10NGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@29µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@50V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@27A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF3C065080B7S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF3C065080B7S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF3C065080B7S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136.4W

    阈值电压:6V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@100V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@20A,12V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ416EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ416EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ416EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105TRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105TRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@16A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LK3-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LK3-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@16A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF6218STRL 起订246个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF6218STRL 起订246个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":34667}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF6218STRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2210pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@16A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87312Q3E 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87312Q3E 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87312Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@15V

    连续漏极电流:27A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:33mΩ@7A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF3C065080B7S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF3C065080B7S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF3C065080B7S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136.4W

    阈值电压:6V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@100V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@20A,12V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF27S60L 起订1个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF27S60L 起订1个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF27S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1294pF@100V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD33CN10NGATMA1 起订849个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD33CN10NGATMA1 起订849个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2759,"23+":5719,"24+":1322}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD33CN10NGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@29µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@50V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@27A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105TRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105TRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@16A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105TRLPBF 起订758个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105TRLPBF 起订758个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":3129}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR4105TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@16A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R125P7AUMA1 起订200个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R125P7AUMA1 起订200个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:111W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1544pF@400V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6218PBF 起订321个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6218PBF 起订321个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1216,"21+":3488}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6218PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2210pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@16A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF3C065080B7S 起订50个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF3C065080B7S 起订50个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF3C065080B7S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136.4W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:23nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@100V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@20A,12V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2826T1S-E2-AT 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2826T1S-E2-AT 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3610pF@10V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD22N08S2L50ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD22N08S2L50ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":833,"23+":1282,"MI+":8934}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@31µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD22N08S2L50ATMA1 起订559个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD22N08S2L50ATMA1 起订559个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":833,"23+":1282,"MI+":8934}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@31µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP27N60KPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP27N60KPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP27N60KPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4660pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LK3-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LK3-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB29N08T,118 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB29N08T,118 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":14136}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB29N08T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@14A,11V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB29N08T,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB29N08T,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":14136}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB29N08T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@14A,11V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ416EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ416EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ416EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD22N08S2L50ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD22N08S2L50ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@31µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    QORVO Mosfet场效应管 UF3C065080B7S 起订10个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF3C065080B7S 起订10个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF3C065080B7S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136.4W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:23nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@100V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@20A,12V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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