品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD33CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@29µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570pF@50V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@27A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ416EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP27P06
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":34667}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF6218STRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2210pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@15V
连续漏极电流:27A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:33mΩ@7A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF27S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1294pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@13.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2759,"23+":5719,"24+":1322}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD33CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@29µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570pF@50V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@27A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":3129}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1216,"21+":3488}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6218PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2210pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":833,"23+":1282,"MI+":8934}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@31µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":833,"23+":1282,"MI+":8934}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@31µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP27N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4660pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":14136}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB29N08T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:810pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@14A,11V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":14136}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB29N08T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:810pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@14A,11V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ416EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@31µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:136.4W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:23nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: