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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD110N12N3 G 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD110N12N3 G 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD110N12N3 G

    功率:136W

    阈值电压:4V@83μA

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11mΩ@10V,75A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10D5 起订6个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10D5 起订6个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT080N10D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:100W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:3.65nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@50V

    导通电阻:6mΩ@10V,50A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订50个装
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订50个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA66EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA66EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA66EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.3V@250μA

    栅极电荷:98nC@10V

    输入电容:5.4nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3mΩ@10V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订90个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订90个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75652G3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:515W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:475nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:7.585nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订150个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订150个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75652G3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:515W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:475nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:7.585nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA66EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA66EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA66EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.3V@250μA

    栅极电荷:98nC@10V

    输入电容:5.4nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3mΩ@10V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW75N65DM6-4 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STW75N65DM6-4 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW75N65DM6-4

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:118nC@10V

    输入电容:5.7nF@100V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:36mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW75N65DM6-4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW75N65DM6-4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW75N65DM6-4

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:118nC@10V

    输入电容:5.7nF@100V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:36mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10D5 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10D5 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT080N10D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:100W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:3.65nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@50V

    导通电阻:6mΩ@10V,50A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK7C10-75AITE,118 起订1000个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK7C10-75AITE,118 起订1000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7C10-75AITE,118

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:272W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:121nC@10V

    输入电容:4.7nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75652G3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:515W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:475nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:7.585nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10D5 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10D5 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT080N10D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:100W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:3.65nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@50V

    导通电阻:6mΩ@10V,50A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R0-55B,127 起订198个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R0-55B,127 起订198个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":700,"9999":259}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK754R0-55B,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.776nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75652G3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:515W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:475nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:7.585nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10K 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10K 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT080N10K

    功率:100W

    阈值电压:1.3V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.5mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75652G3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:515W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:475nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:7.585nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M5LH3 起订525个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M5LH3 起订525个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT69M5LH3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€96W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.406nF@30V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STWA75N65DM6 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STWA75N65DM6 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STWA75N65DM6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:118nC@10V

    输入电容:5.7nF@100V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:36mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STWA75N65DM6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STWA75N65DM6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STWA75N65DM6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:118nC@10V

    输入电容:5.7nF@100V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:36mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75652G3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:515W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:475nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:7.585nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK7C10-75AITE,118 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK7C10-75AITE,118 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":783,"16+":286,"MI+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7C10-75AITE,118

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:272W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:121nC@10V

    输入电容:4.7nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK7C10-75AITE,118 起订1000个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK7C10-75AITE,118 起订1000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":783,"16+":286,"MI+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7C10-75AITE,118

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:272W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:121nC@10V

    输入电容:4.7nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订150个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订150个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75652G3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:515W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:475nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:7.585nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订2000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订2000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3357-A 起订50个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3357-A 起订50个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":294}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3357-A

    功率:150W€3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    输入电容:9.8nF@10V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@38A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R0-55B,127 起订300个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R0-55B,127 起订300个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":700,"9999":259}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK754R0-55B,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.776nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STWA75N65DM6 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STWA75N65DM6 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STWA75N65DM6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:118nC@10V

    输入电容:5.7nF@100V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:36mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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