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    Microchip Mosfet场效应管 MSC060SMA070S 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC060SMA070S 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC060SMA070S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:2.4V@1mA

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1175pF@700V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@20A,20V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R080P7XKSA1 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R080P7XKSA1 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R080P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:129W

    阈值电压:4V@590µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@400V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R080P7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R080P7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R080P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:129W

    阈值电压:4V@590µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@400V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R080P7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R080P7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R080P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:129W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@400V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC080SMA120B4 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC080SMA120B4 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC080SMA120B4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:838pF@1000V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@15A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZA60R080P7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZA60R080P7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:129W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@400V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0060065K 起订1个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0060065K 起订1个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0060065K

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.6V@5mA

    栅极电荷:46nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1020pF@600V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@13.2A,15V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP104N60 起订112个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP104N60 起订112个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":689}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP104N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4165pF@380V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订1个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订1个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT42S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2154pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@21A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP104N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP104N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":689}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP104N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4165pF@380V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA105N15N3GXKSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA105N15N3GXKSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA105N15N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40.5W

    阈值电压:4V@160µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4300pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@37A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZA60R080P7XKSA1 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZA60R080P7XKSA1 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:129W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@400V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订15个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订15个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC080SMA120B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC080SMA120B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC080SMA120B

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2.8V@1mA

    栅极电荷:64nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:838pF@1000V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@15A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZA60R080P7XKSA1 起订120个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZA60R080P7XKSA1 起订120个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:129W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@400V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN027-100PS,127 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN027-100PS,127 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":75,"23+":50500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN027-100PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:103W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1624pF@50V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP099N60E 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP099N60E 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP099N60E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3465pF@380V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN027-100PS,127 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN027-100PS,127 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN027-100PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:103W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1624pF@50V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC080SMA120B4 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC080SMA120B4 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC080SMA120B4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2.8V@1mA

    栅极电荷:64nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:838pF@1000V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@15A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.95nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:104mΩ@10V,18.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT42S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2154pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@21A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2878,"9999":15,"MI+":501}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP35N15G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€178W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT42S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2154pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@21A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ48GPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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