品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R190C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R190E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V@730µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1620pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI60R190C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR616DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:50.5mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R190P6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:37nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:20.2A
类型:MOSFET
导通电阻:190Ω
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR616DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:50.5mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR616DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:50.5mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R190P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:4.5V@630µ
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R190P6FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:4.5V@630µ
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":311,"20+":500,"22+":400}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI60R190C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R190E6FKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.4nF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":370,"14+":197,"9999":169}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R190E6FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@730µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1620pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R190P6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:37nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:20.2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R190C6
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R190P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4.5V@630µ
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R190E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R190C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":50,"21+":200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R190E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R190C6
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R190P6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:37nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:20.2A
类型:MOSFET
导通电阻:190Ω
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R190C6
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R190E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V@730µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1620pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN12M7UCA10-7
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@1.11mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.75mΩ@6A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR616DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:50.5mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R190P6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:151W
阈值电压:4.5V@630μA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1.75nF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R190E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V@730µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1620pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R190C6FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":415}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF190N60-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R190P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:4.5V@630µ
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT199N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: