品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7806ADN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07113
工作温度:150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@27.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB11EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:54.6mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA95R750P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@220µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:712pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4.5V@180µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:807pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R360P7SE8228AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:41W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6509ENJTL
工作温度:150℃
功率:94W
阈值电压:4V@230µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630
工作温度:-65℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STU12N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB11EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):630A
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@10V,4.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@3A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R280CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.5V@180µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:807pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R360P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":25000,"23+":2500,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R360P7SE8228AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:41W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R650CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2014LHAB-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD3055-150T4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: