品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB070N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":80}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH067N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M14-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1211pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB070N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP4229PBF
工作温度:-40℃~175℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4560pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@26A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK44N50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:658W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:5440pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB070N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC146N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2.3V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:14.6mΩ@22A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC146N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2.3V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:14.6mΩ@22A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M14-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:11.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1211pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW48NM60N
工作温度:150℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4285pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M14-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1211pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC146N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2.3V@23µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:14.6mΩ@22A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":58000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@26A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP067N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":18,"22+":2165,"23+":37800,"MI+":1350}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL080N120SC1
工作温度:-55℃~150℃
功率:348W
阈值电压:4.3V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@800V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH4210DTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.1V@100µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4812pF@13V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN017-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@30V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":200}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL080N120SC1
工作温度:-55℃~150℃
功率:348W
阈值电压:4.3V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@800V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW48NM60N
工作温度:150℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4285pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@26A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0909NS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V
栅极电荷:9.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:44A
类型:MOSFET
导通电阻:7.7mΩ
漏源电压:34V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB070N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4500,"23+":3750}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
阈值电压:4.3V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@800V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH44N50
工作温度:-55℃~+175℃
功率:750W
阈值电压:2V
栅极电荷:108nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:44A
类型:MOSFET
导通电阻:120mΩ
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: