采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
