采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：970mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：186pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF63UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：395mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF63UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：395mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF63UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：395mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF63UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：395mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF63UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：395mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF63UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：395mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF63UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：395mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF63UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：395mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
