采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1605}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
连续漏极电流：3.4A
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：208pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
连续漏极电流：3.4A
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：208pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
连续漏极电流：3.4A
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：208pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7R
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：689}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
