采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104V-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL207NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV130ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@20V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBE30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK90Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@1.05A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV120ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：513mW€6.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV130ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@20V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@6V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8817DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13381F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@6V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2102-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.2V@50µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV130ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@20V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8817DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBE30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2102-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.2V@50µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV130ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@20V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3422
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV130ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@20V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV120ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：513mW€6.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV120ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：513mW€6.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104V-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104V-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
