采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1000UN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.89nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H3D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H3D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：40708，"17+"：190000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1000UN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.89nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1000UN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.89nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H3D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2425N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@500mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1000UN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.89nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H3D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1000UN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.89nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1000UN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.89nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1000UN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.89nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1000UN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.89nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2425N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@500mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
