品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3950}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3950}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3950}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R2E06PL,S1X
工作温度:175℃
功率:168W
阈值电压:2.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5000pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3950}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R2E06PL,S1X
工作温度:175℃
功率:168W
阈值电压:2.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5000pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R2E06PL,S1X
工作温度:175℃
功率:168W
阈值电压:2.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5000pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: