品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF35N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF35N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF35N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF35N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF35N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G18P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2.06nF@15V
连续漏极电流:28A
类型:1个P沟道
反向传输电容:295pF@15V
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G18P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2.06nF@15V
连续漏极电流:28A
类型:1个P沟道
反向传输电容:295pF@15V
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G18P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2.06nF@15V
连续漏极电流:28A
类型:1个P沟道
反向传输电容:295pF@15V
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G18P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2.06nF@15V
连续漏极电流:28A
类型:1个P沟道
反向传输电容:295pF@15V
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: