品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4.9V@100µA
包装方式:管件
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@5.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3994,"23+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@5.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
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包装方式:管件
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
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包装方式:管件
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@5.5A,10V
漏源电压:200V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
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ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@5.5A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2250}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
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包装方式:管件
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导通电阻:100mΩ@5.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4.9V@100µA
包装方式:管件
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@5.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4.9V@100µA
包装方式:管件
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@5.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4.9V@100µA
包装方式:管件
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@5.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4.9V@100µA
包装方式:管件
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@5.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@5.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@5.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@5.5A,10V
阈值电压:4.9V@100µA
输入电容:1240pF@25V
包装方式:管件
ECCN:EAR99
功率:21W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
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输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117P
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:4.9V@100µA
包装方式:管件
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@5.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3994,"23+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: