品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":417,"22+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:16.8nC@10V
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.205nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:309mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.205nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:309mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT35M4LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:14.9nC@10V
输入电容:1.009nF@15V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC093N04LSG
功率:2.5W
阈值电压:2V@14μA
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10V,40A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC093N04LSG
功率:2.5W
阈值电压:2V@14μA
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10V,40A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT35M4LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:14.9nC@10V
输入电容:1.009nF@15V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80R360P7
功率:84W
阈值电压:3.5V@280μA
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,5.6A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC093N04LSG
功率:2.5W
阈值电压:2V@14μA
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10V,40A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3410TR
功率:31W
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120NTR
功率:31W
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80R360P7
功率:84W
阈值电压:3.5V@280μA
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,5.6A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRFL13N50
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP13N50
功率:60W
阈值电压:3.1V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.315nF@25V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
反向传输电容:11pF@25V
导通电阻:340mΩ@10V,6.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":417,"22+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:16.8nC@10V
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT35M4LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:14.9nC@10V
输入电容:1.009nF@15V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80R360P7
功率:84W
阈值电压:3.5V@280μA
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,5.6A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT100N04D3
功率:23W
阈值电压:1.7V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC093N04LSG
功率:2.5W
阈值电压:2V@14μA
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10V,40A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH250N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:915pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: