采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2162-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：18.9nC@4.5V
输入电容：1.371nF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个N沟道
反向传输电容：172pF@10V
导通电阻：14mΩ@4.5V，4.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：14.2nC@4.5V
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：85pF@10V
导通电阻：37mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
连续漏极电流：4.8A
栅极电荷：4.3nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
输入电容：400pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：14.2nC@4.5V
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：85pF@10V
导通电阻：37mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：14.2nC@4.5V
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：85pF@10V
导通电阻：37mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：14.2nC@4.5V
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：85pF@10V
导通电阻：37mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR220PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2244
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.293nF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2244
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.293nF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2244
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.293nF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU220PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
