采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH15H017SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2344pF@75V
连续漏极电流：11A€61A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2226
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4013SPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4004pF@20V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH15H017SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2344pF@75V
连续漏极电流：11A€61A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH15H017SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2344pF@75V
连续漏极电流：11A€61A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH15H017SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2344pF@75V
连续漏极电流：11A€61A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH15H017SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2344pF@75V
连续漏极电流：11A€61A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2226
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4013SPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4004pF@20V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH15H017SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2344pF@75V
连续漏极电流：11A€61A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH15H017SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2344pF@75V
连续漏极电流：11A€61A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2226
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4013SPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4004pF@20V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2226
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4013SPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4004pF@20V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH15H017SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2344pF@75V
连续漏极电流：11A€61A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2226
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4013SPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4004pF@20V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
