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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
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功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7K18-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@25V
连续漏极电流：24.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK7K18-40EX
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功率：38W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@25V
连续漏极电流：24.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
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功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK7K18-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@25V
连续漏极电流：24.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
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功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
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规格型号(MPN)：BUK7K18-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@25V
连续漏极电流：24.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@7.5V
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输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK7K18-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@25V
连续漏极电流：24.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7K18-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@25V
连续漏极电流：24.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
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功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK7K18-40EX
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功率：38W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@25V
连续漏极电流：24.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7K18-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@25V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@7.5V
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
漏源电压：250V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：63mΩ@10A，10V
ECCN：EAR99
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
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功率：104W
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@7.5V
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
漏源电压：250V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：63mΩ@10A，10V
ECCN：EAR99
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@7.5V
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
漏源电压：250V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：63mΩ@10A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7K18-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@25V
连续漏极电流：24.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7K18-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@25V
连续漏极电流：24.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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