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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€31.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUD23N06-31-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€31.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7K45-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1533pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：37.6mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUD23N06-31-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€31.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SUD23N06-31-GE3
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栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
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功率：53W
阈值电压：4V@1mA
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输入电容：1533pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：37.6mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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栅极电荷：17nC@10V
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连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
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栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
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栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
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连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€31.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
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输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€31.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
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连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN038-100HSX
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1533pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：37.6mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUD23N06-31-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€31.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK7K45-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1533pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：37.6mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUD23N06-31-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€31.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK7K45-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1533pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：37.6mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK7K45-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1533pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：37.6mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUD23N06-31-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€31.25W
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN038-100HSX
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1533pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：37.6mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUD23N06-31-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€31.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€31.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€31.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN038-100HSX
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1533pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：37.6mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€31.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN038-100HSX
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1533pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：37.6mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD23N06-31-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€31.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：21.4A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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