采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSF010P05TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：460mΩ@1A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：42，"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4405NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：828458}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4405NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GVTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLD110PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：管件
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@600mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF010P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP322PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@380µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB350UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€3.125W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：127pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：450mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6U24TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：1.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJS4405NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3462-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：785mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR010N10FHATL
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3442
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB320UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：122pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60L
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP322PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@380µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6U24TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：1.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
