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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT31M6LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：123nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7019pF@15V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT31M6LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：123nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7019pF@15V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@25V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@25V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@25V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT31M6LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：123nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7019pF@15V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@25V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
