品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1018ESTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y7R6-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:94.3W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:26.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4011SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€115W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4497pF@20V
连续漏极电流:79A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH45M5SPDWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€60W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1083pF@20V
连续漏极电流:79A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0805LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@49µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3334,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1018ESTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1425pF@12V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1018ESPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y7R6-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:16.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2403pF@25V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y7R6-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:16.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2403pF@25V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y7R6-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:94.3W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:26.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSCSM120SKM31CTBL1NG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:232nC@20V
包装方式:散装
输入电容:3.02nF@1000V
连续漏极电流:79A
类型:1个N沟道
导通电阻:31mΩ@40A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y7R6-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:94.3W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y7R6-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:94.3W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:26.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1425pF@12V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1018ESTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1018ESPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1018ESTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1018ESTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y7R6-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:16.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2403pF@25V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH45M5SPDWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€60W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1083pF@20V
连续漏极电流:79A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":18020,"22+":73034,"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0805LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":18020,"22+":73034,"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0805LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":18020,"22+":73034,"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0805LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":192,"20+":284}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2532-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5870pF@25V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@33A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1018EPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2355,"23+":48500,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1018EPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1018ESTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1018ESTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y7R6-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:94.3W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:26.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: