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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB20N50E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB20N50E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB20N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1640pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW120R140M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW120R140M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMW120R140M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:5.7V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:454pF@800V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:182mΩ@6A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJL5014DPP-E0#T2 起订59个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJL5014DPP-E0#T2 起订59个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":996,"19+":1244}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2

    功率:35W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    输入电容:1.7nF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R185P7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R185P7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:81W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2406pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M45-40EX 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M45-40EX 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M45-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:317pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540SPBF 起订23个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540SPBF 起订23个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1350-TL-H 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1350-TL-H 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":670,"16+":38035,"17+":15323}

    包装规格(MPQ):700psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1350-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540SPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540SPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R120C7XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R120C7XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R120C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:92W

    阈值电压:4V@390µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540STRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540STRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:23nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:724pF@800V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R120C7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R120C7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):240psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R120C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:92W

    阈值电压:4V@390µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540SPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540SPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_BE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_BE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2406pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9Z34N 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9Z34N 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34N

    功率:68W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:19A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,10A

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540PBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540PBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TP86R203NL,LQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TP86R203NL,LQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP86R203NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.3V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@15V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP165N65S3 起订73个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP165N65S3 起订73个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4039,"21+":12687}

    包装规格(MPQ):144psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP165N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:154W

    阈值电压:4.5V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB21N06LT,118 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB21N06LT,118 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB21N06LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG20N50E-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG20N50E-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG20N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1640pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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