采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：1HN04CH-TL-W
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@20V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：870}
销售单位：个
规格型号(MPN)：1HN04CH-TL-W
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@20V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4001NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：126150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DS-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVS4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DS-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
