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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8425DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8425DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2365EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：700mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8425DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8425DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8425DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI630GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8425DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2365EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：700mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
