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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2305DSLT1G
功率：1.1W
阈值电压：800mV@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2305DSLT1G
功率：1.1W
阈值电压：800mV@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2305DSLT1G
功率：1.1W
阈值电压：800mV@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2305DSLT1G
功率：1.1W
阈值电压：800mV@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
输入电容：700pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
类型：P沟道
栅极电荷：16nC@10V
功率：1.1W
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
输入电容：700pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
类型：P沟道
栅极电荷：16nC@10V
功率：1.1W
ECCN：EAR99
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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