品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4P7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@700μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4Ω@10V,1.4A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFTP3401-AQ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:954pF@0V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFTP3401-AQ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:954pF@0V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:7V@450μA
栅极电荷:10.5nC@15V
输入电容:260pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.43Ω@2A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRS040P03FRATB
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFTP3401-AQ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:954pF@0V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFTP3401-AQ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:954pF@0V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:21pF@15V
导通电阻:35mΩ@10V,6.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1401EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:34mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:43mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G06P01E
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1.087nF@6V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:28mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF4N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.5pF@25V
导通电阻:2Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:43mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2056U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:339pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: