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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4N50C
功率：33W
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2Ω@10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4N50C
功率：33W
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2Ω@10V
漏源电压：500V
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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRF830APBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
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规格型号(MPN)：IRF830APBF
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阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
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连续漏极电流：4A
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输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
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反向传输电容：10pF@25V
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功率：33W
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类型：1个N沟道
导通电阻：2.2Ω@10V
漏源电压：500V
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规格型号(MPN)：JSM4N50C
功率：33W
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2Ω@10V
漏源电压：500V
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