销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6912A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P-Channel
导通电阻:37mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P-Channel
导通电阻:37mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4485DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€23W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
导通电阻:30mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6975
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4915}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMD6N03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.29W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: