采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N40M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4000，"18+"：7000，"22+"：720，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP6N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1128pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1128pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU6N62E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：578pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU6N62E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：578pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4000，"18+"：7000，"22+"：720，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP6N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4000，"18+"：7000，"22+"：720，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP6N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1128pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP6N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU6N62E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：578pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N750CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
栅极电荷：53nC@10V
类型：N沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：800V
功率：33W
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1128pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1128pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N750CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB6N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
