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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3420A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3420A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3420A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3420A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3420A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3420A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3420A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：3096，"MI+"：1459}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3420A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3420A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3420A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3420A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3420A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
