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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：3000，"21+"：20547}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR302NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：07+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4953ADY-T1-E3
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：剪切带（CT）
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：53mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：07+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4953ADY-T1-E3
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：剪切带（CT）
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：53mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：3000，"21+"：20547}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR302NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
