销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：278W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：110nC@10V

输入电容：6.49nF@50V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：4mΩ@20A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：278W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：110nC@10V

输入电容：6.49nF@50V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：4mΩ@20A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：278W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：110nC@10V

输入电容：6.49nF@50V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：4mΩ@20A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：278W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：110nC@10V

输入电容：6.49nF@50V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：4mΩ@20A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTP150N15X4

工作温度：-55℃~+175℃

功率：480W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：105nC@10V

输入电容：5.5nF@25V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.2mΩ@75A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPG150N10P

工作温度：-55℃~+175℃

功率：211W

阈值电压：3.9V@250μA

栅极电荷：108nC@10V

输入电容：6.6nF@25V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

反向传输电容：210pF@25V

导通电阻：5mΩ@10V，70A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：110W

阈值电压：4V

栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：110W

阈值电压：4V

栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：110W

阈值电压：4V

栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP60020E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

栅极电荷：151.2nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2.8mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPG150N10P

工作温度：-55℃~+175℃

功率：211W

阈值电压：3.9V@250μA

栅极电荷：108nC@10V

输入电容：6.6nF@25V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

反向传输电容：210pF@25V

导通电阻：5mΩ@10V，70A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTP150N15X4

工作温度：-55℃~+175℃

功率：480W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：105nC@10V

输入电容：5.5nF@25V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.2mΩ@75A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTP150N15X4

工作温度：-55℃~+175℃

功率：480W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：105nC@10V

输入电容：5.5nF@25V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.2mΩ@75A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTP150N15X4

工作温度：-55℃~+175℃

功率：480W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：105nC@10V

输入电容：5.5nF@25V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.2mΩ@75A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：110W

阈值电压：4V

栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：110nC@10V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

工作温度：-55℃~+175℃

功率：278W

输入电容：6.49nF@50V

漏源电压：100V

导通电阻：4mΩ@20A，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：278W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：110nC@10V

输入电容：6.49nF@50V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：4mΩ@20A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：278W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：110nC@10V

输入电容：6.49nF@50V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：4mΩ@20A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1