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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA11N80E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N65E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N65E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1224pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD17P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085 起订67个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085 起订67个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":388}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP9240PBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP9240PBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP9240PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP9240PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP9240PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP9240PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订15个装
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订15个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9Z34GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD17P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9530SPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9530SPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9530SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP9240PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP9240PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP9240PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFU18N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STFU18N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU18N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI530NPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI530NPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI530NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9530PBF-BE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9530PBF-BE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9530PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB12N65E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB12N65E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB12N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1224pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP9240PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP9240PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP9240PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP9240PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP9240PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP9240PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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