采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD360A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ12N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD360A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD360A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD360A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD360A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD360A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD360A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
