采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF680N10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ12N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP12N10L
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：2V@250µA
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP12N10L
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：2V@250µA
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP12N10L
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：2V@250µA
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP12N10L
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：2V@250µA
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP12N10L
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：2V@250µA
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF680N10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
