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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR402DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：27000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS105N03LGAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR402DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
