品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR410DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS410DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35P6LLF6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35P6LLF6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR410DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP35N04YLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€77W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35P6LLF6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7625DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4427pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7625DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4427pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS410DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD30NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR410DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35P6LLF6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: