采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG70N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：410nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5348pF@100V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL50N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N04VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG70N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：410nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5348pF@100V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD70N10F4
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP65NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75332P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：145W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@60A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：23200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5412NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75332P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：145W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@60A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75332P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：145W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@60A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N04VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75332P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：145W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@60A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG73N60AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：394nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@100V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@36.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL50N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5412NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5412NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH10H028SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM60N10-17-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
