品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1978}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
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输入电容:5550pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1978}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
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连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
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类型:P沟道
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
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输入电容:5550pF@20V
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类型:P沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
栅极电荷:79.5nC@10V
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输入电容:3850pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
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漏源电压:40V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
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类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
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连续漏极电流:70A
类型:P沟道
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漏源电压:40V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
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包装方式:管件
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
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包装方式:管件
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
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类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1978}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
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输入电容:3850pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
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输入电容:5550pF@20V
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类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
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类型:N沟道
功率:78W
包装方式:管件
栅极电荷:32nC@10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
输入电容:3850pF@20V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
功率:60W
栅极电荷:79.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
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连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1978}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: