品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BWAHZGT106
功率:200mW
阈值电压:2V@10μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:1个N沟道
导通电阻:680mΩ@380mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKWT106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@10µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:680mΩ@380mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138BKMYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW€2.8W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@380mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138BKHH
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW€2.8W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@380mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138BKHH
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW€2.8W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@380mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BWAHZGT106
功率:200mW
阈值电压:2V@10μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:1个N沟道
导通电阻:680mΩ@380mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: