采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB12P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€120W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：470mΩ@5.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：937，"23+"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2305pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB12N50TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：165W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2305pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：16500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M120-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.05V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：119mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2305pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
